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J-GLOBAL ID：201402299778195140   整理番号：14A0550194

歪均衡InGaAs/GaAsP多重量子井戸太陽電池における非放射キャリア再結合に及ぼす内部電場の影響

Effect of internal electric field on non-radiative carrier recombination in the strain-balanced InGaAs/GaAsP multiple quantum well solar cells

著者 (9件)： FUKUYAMA Atsuhiko (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  AIHARA Taketo (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  YOKOYAMA Yuki (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  KOJIMA Michiya (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  FUJII Hiromasa (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUZUKI Hidetoshi (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  SUGIYAMA Masakazu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANO Yoshiaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IKARI Tetsuo (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 211  号： 2  ページ： 444-448  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs p-i-n太陽電池への量子井戸の挿入は多重接合太陽電池の整合の問題を解決すると思われる。バンドギャップが1.2eVの歪均衡InGaAs/GaAsP多重量子井戸は中間電池材料として利用できる。本研究では,光キャリアの逃散,放射及び非放射再結合過程を,表面光起電力,光ルミネセンス,圧電光熱分光法を用いて調べた。光子エネルギーが増すと,侵入距離が短くなり,大部分のキャリアはi領域の中性電荷領域で発生した。実験結果は多重量子井戸内の放射再結合過程の増加により説明できた。

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,  リン化物 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  *多重量子井戸 ,  *キャリア再結合 ,  *太陽電池 ,  電場 ,  光起電力 ,  光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  スペクトロスコピー
準シソーラス用語： 圧電光熱分光法 ,  内部電場 ,  非放射再結合 ,  表面光起電力 ,  放射再結合

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 歪 ,  均衡 ,  InGaAs ,  GaAsP ,  多重量子井戸 ,  太陽電池 ,  放射 ,  キャリア再結合 ,  内部電場