特許

J-GLOBAL ID：201403000175186471

半導体ウエハの表面加工方法、および加工半導体ウエハの製造方法

発明者： 佐藤 恒輔
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
代理人 (3件)： 森 哲也 ,  小西 恵 ,  田中 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-287771
公開番号（公開出願番号）：特開2014-130914
出願日： 2012年12月28日
公開日（公表日）： 2014年07月10日
要約：

【課題】 エッチングマスクを用いることなく、半導体ウエハの表面に凹凸形状をより確実に形成する。【解決手段】 エッチング処理装置のチャンバー内に、酸素原子を含む気体また物質を導入した状態で、エッチングマスクを用いることなく化合物半導体層を備える半導体ウエハの化合物半導体層の表面にドライエッチング処理を施す。このとき、酸素原子を含む物質で形成された支持体上に半導体ウエハを配置した状態で、ドライエッチング処理を行う。そして、基板ステージの載置面の一部が露出した状態でドライエッチング処理を施すことが好ましい。また、支持体上に半導体ウエハを配置し、かつ支持体上に酸素原子を含む物質を配置した状態で、ドライエッチング処理を行ってもよい。酸素原子を含む物質がAl2O3およびSiO2のうちの少なくとも一種であることが好ましい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

チャンバー内において、化合物半導体層を備える半導体ウエハを支持体で支持し、前記チャンバー内に酸素原子を含む気体または物質を導入した状態で、エッチングマスクを用いることなく前記化合物半導体層の表面にドライエッチング処理を施して、該表面に凹凸構造を形成することを特徴とする半導体ウエハの表面加工方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 104C

Fターム (13件)：

5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F004EA38 ,  5F004EB08