特許
J-GLOBAL ID：201403000301549305
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高田 守
, 高橋 英樹
, 久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185354
公開番号（公開出願番号）：特開2014-045010
出願日： 2012年08月24日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：
【課題】レイアウトの自由度が高く、耐圧が高く小型化の半導体装置を得る。【解決手段】半導体パッケージ1の上面から下面に向かって貫通穴8が設けられている。その貫通穴8に電極棒11が挿入されている。半導体パッケージ1において、絶縁基板2上に半導体チップ3が配置されている。電極パターン4が絶縁基板2上に配置され、半導体チップ3に接続されている。樹脂7が絶縁基板2、半導体チップ3、及び電極パターン4を封止する。電極部9が絶縁基板2及び樹脂7を貫通する貫通穴8の内壁に配置され、電極パターン4に接続されている。貫通穴8に挿入された電極棒11は電極部9に接続されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
上面から下面に向かって貫通穴が設けられた半導体パッケージと、
前記半導体パッケージの前記貫通穴に挿入された電極棒とを備え、
前記半導体パッケージは、
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置された半導体チップと、
前記絶縁基板上に配置され、前記半導体チップに接続された電極パターンと、
前記絶縁基板、前記半導体チップ、及び前記電極パターンを封止する樹脂と、
前記絶縁基板及び前記樹脂を貫通する前記貫通穴の内壁に配置され、前記電極パターンに接続された電極部とを有し、
前記貫通穴に挿入された前記電極棒は前記電極部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, H01L 25/18
, H01L 25/11
, H01L 25/10
H01L23/12 K
, H01L25/14 Z
, H01L25/10 Z
