特許
J-GLOBAL ID：201403000616131449

半導体装置とその製造方法

発明者：
王 文生

王 文生 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-174044
公開番号（公開出願番号）：特開2014-033140
出願日： 2012年08月06日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
要約：
【課題】強誘電体キャパシタの水素等に対するバリア性を向上できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板10と、半導体基板10の第1領域上方に形成された下部電極44と、下部電極44上に形成された強誘電体膜50、52と、強誘電体膜52上に形成された上部電極とを有し、上部電極は、酸化イリジウムまたは酸化ルテニウムで形成された第1導電膜56と、第1導電膜56上方に形成され、ペロブスカイト構造あるいはビスマス層状結晶構造を持つABOx型酸化物で形成された第2導電膜57と、第2導電膜57上方に形成され、酸化イリジウムまたは酸化ルテニウムで形成された第3導電膜58とを有する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板の第1領域上方に形成された下部電極と、 前記下部電極上に形成された強誘電体膜と、 前記強誘電体膜上に形成された上部電極と を有し、 前記上部電極は、 酸化イリジウムまたは酸化ルテニウムで形成された第1導電膜と、 前記第1導電膜上方に形成され、ペロブスカイト構造あるいはビスマス層状結晶構造を持つABOx型酸化物で形成された第2導電膜と、 前記第2導電膜上方に形成され、酸化イリジウムまたは酸化ルテニウムで形成された第3導電膜と を有する半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  C23C 14/08
FI (5件)：
H01L27/10 444B ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/04 C ,  C23C14/08 H ,  C23C14/08 K
Fターム (65件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB08 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC08 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029GA01 ,  5F038AC02 ,  5F038AC05 ,  5F038AC07 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR02 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA11 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA01 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA46 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA19 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA15 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083PR42 ,  5F083PR52 ,  5F083ZA01
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-065211   出願人：富士通セミコンダクター株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-179796   出願人：富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-174228   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-065211   出願人：富士通セミコンダクター株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-179796   出願人：富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-174228   出願人：松下電器産業株式会社

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