特許

J-GLOBAL ID：201403000626925702

発光素子、光源ヘッド、及び画像形成装置

発明者： 福永 秀樹
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人太陽国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-180213
公開番号（公開出願番号）：特開2014-038934
出願日： 2012年08月15日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：

【課題】本構成を有しない場合と比較して、駆動電圧が抑えられた発光素子、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。【解決手段】発光素子100では、発光層126のバンドギャップが、アノード層122、n型ゲート層124、p型ゲート層128、及びカソード層130のバンドギャップよりも小さく、キャリアが再結合するための再結合層として機能する。また、結合ダイオード106は、p型ゲート層128とn型ゲート層124との間で形成されている。従って、結合ダイオード106の拡散電位が小さく、発光素子100の駆動電圧を抑えられる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

第1導電型のアノード層上の第1領域に形成された第2導電型の第1ゲート層、当該第1ゲート層上に形成された前記第1ゲート層よりもバンドギャップが小さい発光層、当該発光層上に形成された前記発光層よりもバンドギャップが大きい第1導電型の第2ゲート層、当該第2ゲート層上に形成された第2導電型の第1カソード層、当該第1カソード層上に形成された第2導電型の第1コンタクト層、及び当該第1コンタクト層上に形成された第1カソード電極を有する発光部と、 前記アノード層上の第2領域に形成された前記第1ゲート層、当該ゲート層上に形成された前記発光層、当該発光層上に形成された前記第2ゲート層、当該第2ゲート層上に形成された第2導電型の第2カソード層、当該第2カソード層上に形成された第2導電型の第2コンタクト層、及び当該第2コンタクト層上に形成された第2カソード電極を有する転送部と、 前記アノード層上の第3領域に形成された前記第1ゲート層、当該第1ゲート層上に形成された第2導電型の第1ゲート電極、当該第1ゲート層上に形成された前記発光層、当該発光層上に形成された前記第2ゲート層、及び当該第2ゲート層上に形成された第1導電型の第2ゲート電極を有する結合部と、 を備えた発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/08 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/455

FI (2件)：

H01L33/00 120 ,  B41J3/21 L

Fターム (25件)：

2C162AE03 ,  2C162AE21 ,  2C162AE28 ,  2C162AE40 ,  2C162AE47 ,  2C162AE73 ,  2C162AF04 ,  2C162AG05 ,  2C162AH04 ,  2C162AH26 ,  2C162AH63 ,  2C162AH66 ,  2C162AH74 ,  2C162FA04 ,  2C162FA17 ,  2C162FA24 ,  2C162FA44 ,  5F141AA21 ,  5F141CA07 ,  5F141CA36 ,  5F141CA65 ,  5F141CA93 ,  5F141CB25 ,  5F141CB33 ,  5F141FF13