SiC単結晶の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：上羽秀敏 , 松山隆夫 , 坂根剛 , 川上桂子 , 竹添忠 , 吉永元貴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-081382
公開番号（公開出願番号）：特開2014-201509
出願日： 2013年04月09日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：

【課題】メニスカスを形成して結晶成長を長時間行う場合であっても、単結晶の質の低下を抑制できるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】準備工程では、Si-C溶液15の原料が収容される坩堝と、SiC種結晶32が取り付けられるシードシャフト28とを含む製造装置を準備する。生成工程では、坩堝内の原料を加熱して溶融し、Si-C溶液15を生成する。成長工程では、Si-C溶液15にSiC種結晶32を接触させ、SiC種結晶32上でSiC単結晶40を成長させる。成長工程は、形成工程と、維持工程とを含む。形成工程では、SiC単結晶40の成長界面とSi-C溶液15の液面との間にメニスカス36を形成する。維持工程では、シードシャフト28及び坩堝の少なくとも一方を他方に対して高さ方向に相対移動させることにより、メニスカス36の高さの変動幅を所定の範囲内に維持する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

溶液成長法によりSiC単結晶を製造する製造方法であって、 Si-C溶液の原料が収容される坩堝と、SiC種結晶が取り付けられるシードシャフトとを含む製造装置を準備する準備工程と、前記坩堝内の原料を加熱して溶融し、前記Si-C溶液を生成する生成工程と、前記Si-C溶液に前記SiC種結晶を接触させ、前記SiC種結晶上で前記SiC単結晶を成長させる成長工程とを備え、前記成長工程は、前記SiC単結晶の成長界面と前記Si-C溶液の液面との間にメニスカスを形成する形成工程と、前記シードシャフト及び前記坩堝の少なくとも一方を他方に対して高さ方向に相対移動させることにより、前記メニスカスの高さの変動幅を所定の範囲内に維持する維持工程とを含む、製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 , C30B 19/10

FI (2件)：

C30B29/36 A , C30B19/10

Fターム (11件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EC08 , 4G077EG12 , 4G077EH06 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA26 , 4G077QA54

引用特許：

出願人引用 (4件)

炭化硅素結晶の液相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-288946 出願人：三菱電線工業株式会社
窒化アルミニウム単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-221168 出願人：住友金属工業株式会社
SiC単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-033949 出願人：トヨタ自動車株式会社

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