基板処理装置及び基板処理方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内野美洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-196610
公開番号（公開出願番号）：特開2014-027245
出願日： 2012年09月06日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
要約：

【課題】基板の下地層にダメージを与えることなく、除去対象層を良好に除去すること。【解決手段】本発明では、下地層の表面に除去対象層を形成した基板(3)に硫酸と過酸化水素水との混合液を供給して除去対象層を除去する基板処理装置(1)において、基板(3)を処理するための基板処理室(16)と、基板処理室(16)に設けられた、基板(3)を保持するための基板保持手段(12)と、基板保持手段(12)で保持された基板に硫酸と過酸化水素水との混合液を下地層にダメージを与えない温度及び過酸化水素水の混合比で供給する混合液供給手段(13)と、基板(3)にOH基を含む流体を供給するOH基供給手段(14)とを有し、OH基供給手段(14)は、混合液とOH基が基板(3)上で混合された際に下地層にダメージを与えない量のOH基を含む流体を供給することにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下地層の表面に除去対象層を形成した基板に硫酸と過酸化水素水との混合液を供給して除去対象層を除去する基板処理装置において、前記基板を処理するための基板処理室と、前記基板処理室に設けられた、前記基板を保持するための基板保持手段と、前記基板保持手段で保持された基板に硫酸と過酸化水素水との混合液を前記下地層にダメージを与えない温度及び過酸化水素水の混合比で供給する混合液供給手段と、前記基板にOH基を含む流体を供給するOH基供給手段と、を有し、前記OH基供給手段は、前記混合液とOH基が前記基板上で混合された際に前記下地層にダメージを与えない量のOH基を含む流体を供給することを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G02F 1/13 , G03F 7/42

FI (3件)：

H01L21/30 572B , G02F1/13 101 , G03F7/42

Fターム (8件)：

2H088FA21 , 2H088FA30 , 2H096AA25 , 2H096HA30 , 2H096JA04 , 2H096LA03 , 5F146MA02 , 5F146MA10

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