特許

J-GLOBAL ID：201403000822542650

半導体装置構造及び信号伝達機構

発明者： 田島 一久
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-215762
公開番号（公開出願番号）：特開2014-072284
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
要約：

【課題】高速電子装置において、光バスライン構造の適用により、従来の速度ネック部分を解消することで、電子装置全体速度を改善する。【解決手段】半導体装置の半導体パッケ-ジ210上面の光変換送受信ユニット接続口218を介して、着脱可能な光変換送受信ユニット122を装着し、ユニット内の光変換送受信用チップ302と半導体パケ-ジ210内のマウントチップ202上の信号ラインの金属突起電極40を介して光変換送受信用チップ302と圧着接続させることにより、素子面間の距離dを1mm程度の最短距離にて接続する。これにより、両チップ間の信号遅延を抑える。また、マウントチップ202及び光変換送受信チップ用302とを圧着接続とすることで、光変換送受信チップ302の交換を可能とする機能を達成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1半導体チップと、 前記第1半導体チップから出力される信号を出力用光信号として外部に出力し、かつ前記第1半導体チップに入力される信号を入力用光信号として受信する第1光変換チップと、 前記第1半導体チップと前記第1光変換チップとを、互いに対向した状態で保持する保持部材と、 を備え、 前記第1半導体チップと前記第1光変換チップのうち互いに対向する素子面間同士の接続距離dが1mm以下を実現できる半導体装置構造。

IPC (2件)：

H01L 25/16 ,  H01L 31/02

FI (2件)：

H01L25/16 B ,  H01L31/02 B

Fターム (4件)：

5F088BA02 ,  5F088BB01 ,  5F088JA05 ,  5F088JA18