特許

J-GLOBAL ID：201403000982427644

基板加工方法及び装置

発明者： 下田 勇一
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 高橋 浩三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-154018
公開番号（公開出願番号）：特開2014-014842
出願日： 2012年07月09日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：

【課題】基板をフルカットする際に発生する加工残渣がレーザ加工に及ぼす影響を極力無くすようにする。【解決手段】切断加工前後において基板をエアの吹き出しと吸引により、基板の姿勢を平坦化されたバランスされた状態とし、さらに浮上時の高さと見かけ上のバネ剛性を高くした状態で、基板の裏面からガス噴流を吹き付ける。基板の一部が膨らみ、この部分に内部応力が加えられ、加工予定ラインに沿ってガラスの内部にクラックが形成され、それが成長することによって、部分的に応力が大きくなり、レーザ加工に影響の少ない場所で基板がフルカットされるようになる。ステージ手段間の間隙部の下面からガス噴流を基板の加工予定ラインに沿って吹き付けて基板をフルカットする。フルカットする場所をレーザ加工とは異なる場所で行なうことによって、基板のフルカット時に発生する加工残渣がレーザ加工に及ぼす影響を極力無くすことができる。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

基板に対してレーザ光を相対的に移動させながら照射すると共に前記レーザ光の移動後の加工付近に冷却媒体を吹き付け、前記基板の加工表面部を冷却し、割断に有効な応力を発生させることによって基板表面に所定の加工を施す基板加工方法であって、 前記基板を搬送するステージ手段の上面からエアの噴出しと吸引をバランスさせて前記基板を浮上させて見かけ上のバネ剛性を高くした状態で、所定の加工によってハーフカットされた前記基板の前記加工予定ラインの裏側からガス噴流を吹き付けて前記基板をフルカットすることを特徴とする基板加工方法。

IPC (11件)：

B23K 26/364 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/142 ,  B23K 26/10 ,  B28D 5/00 ,  B28D 7/04 ,  C03B 33/09 ,  C03B 33/033 ,  G02F 1/133 ,  G02F 1/13

FI (11件)：

B23K26/00 D ,  B23K26/40 ,  B23K26/00 H ,  B23K26/14 A ,  B23K26/10 ,  B28D5/00 Z ,  B28D7/04 ,  C03B33/09 ,  C03B33/033 ,  G02F1/1333 500 ,  G02F1/13 101

Fターム (34件)：

2H088FA07 ,  2H088FA26 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H190JB02 ,  2H190JC01 ,  3C069AA01 ,  3C069BA08 ,  3C069CA05 ,  3C069CA11 ,  3C069CB01 ,  3C069EA02 ,  4E068AA02 ,  4E068CA11 ,  4E068CA17 ,  4E068CB06 ,  4E068CC06 ,  4E068CE02 ,  4E068CE09 ,  4E068CE11 ,  4E068CG01 ,  4E068CH05 ,  4E068CH07 ,  4E068CJ01 ,  4E068DA09 ,  4E068DB11 ,  4E068DB13 ,  4G015FA03 ,  4G015FA04 ,  4G015FA06 ,  4G015FB01 ,  4G015FC02 ,  4G015FC10 ,  4G015FC11