特許

J-GLOBAL ID：201403001001342616

太陽電池用透明膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： 山口 剛 ,  張 守斌 ,  近藤 佑一
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 秀幸
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012000734
公開番号（公開出願番号）：WO2012-108157
出願日： 2012年02月03日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：

AZO膜よりも屈折率の低いZnO-SiO2-Al2O3膜をDCスパッタ可能な太陽電池用透明膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。スパッタリングターゲットが、全金属成分量に対してAl:0.3〜4.0wt%、Si:6.0〜14.5wt%を含有し、残部がZnおよび不可避不純物からなる成分組成を有した酸化物焼結体からなり、該焼結体の組織中に複合酸化物Zn2SiO4とZnOとが存在する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、Al2O3粉末とSiO2粉末とZnO粉末とを、Al2O3:0.5〜5.0wt%、SiO2:10〜22wt%、残部:ZnOおよび不可避不純物からなるように混合して混合粉末とする工程と、前記混合粉末を真空中でホットプレスにて焼結する工程とを有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

全金属成分量に対してAl:0.3〜4.0wt%、Si:6.0〜14.5wt%を含有し、残部がZnおよび不可避不純物からなる成分組成を有した酸化物焼結体からなり、 該焼結体の組織中に複合酸化物Zn2SiO4とZnOとが存在することを特徴とする太陽電池用透明膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/453 ,  H01L 31/06

FI (3件)：

C23C14/34 A ,  C04B35/00 P ,  H01L31/04 E

Fターム (20件)：

4G030AA32 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA22 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4G030GA29 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5F151AA10 ,  5F151CB15 ,  5F151CB27 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03