特許

J-GLOBAL ID：201403001222664499

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 平田 繁夫 ,  中務 慎一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 米津 潔 ,  水方 勝哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-222018
公開番号（公開出願番号）：特開2014-075470
出願日： 2012年10月04日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
要約：

【課題】逆バイアス処理工程及び絶縁検査工程を含む薄膜太陽電池の製造方法において、外周絶縁領域形成工程の後に行われる清浄化工程の順番を最適化することにより、生産効率を向上させる。【解決手段】透光性絶縁基板上に、第1電極層、光電変換層及び第2電極層が順次積層された薄膜光電変換素子が、複数個直列接続されたストリングを形成するストリング形成工程と、ストリングの外周部の薄膜光電変換素子にレーザを照射して除去する外周絶縁領域形成工程と、外周絶縁領域形成工程で発生して外周絶縁領域に付着した付着物を除去する清浄化工程と、薄膜光電変換素子の第1電極層と第2電極層との間に逆バイアス電圧を印加して局所的な短絡欠陥部分を絶縁化する逆バイアス処理工程と、をこの順に行う薄膜太陽電池の製造方法。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

透光性絶縁基板上に、第1電極層、光電変換層及び第2電極層が順次積層された薄膜光電変換素子が、複数個直列接続されたストリングを形成するストリング形成工程と、 前記ストリングの外周部の前記薄膜光電変換素子を、レーザ光を照射することによって除去する外周絶縁領域形成工程と、 前記外周絶縁領域形成工程で発生して前記外周絶縁領域に付着した付着物を除去する清浄化工程と、 前記薄膜光電変換素子の前記第1電極層と前記第2電極層との間に逆バイアス電圧を印加して局所的な短絡欠陥部分を絶縁化する逆バイアス処理工程と、をこの順に行う薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/06

FI (2件)：

H01L31/04 B ,  H01L31/04 E

Fターム (19件)：

5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151AA10 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CB12 ,  5F151CB30 ,  5F151DA04 ,  5F151DA16 ,  5F151EA03 ,  5F151EA16 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03 ,  5F151JA04 ,  5F151JA05 ,  5F151JA06 ,  5F151JA27