特許
J-GLOBAL ID：201403001936403982

強誘電体薄膜形成用組成物とその製造方法

発明者：
土井 利浩

土井 利浩 について

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桜井 英章

桜井 英章 について

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曽山 信幸

曽山 信幸 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 千葉 博史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-105780
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229645
出願日： 2013年05月20日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
要約：
【課題】仮焼工程および焼成工程を通じて成膜のヤング率を調整し、一回あたりの塗膜が厚くても焼成時にクラックが殆ど発生せずに結晶性の高い薄膜を得ることができ、従って塗膜回数を少なくして薄膜の製造効率を高めることができる強誘電体薄膜形成用組成物とその製造方法を提供する。【解決手段】強誘電体薄膜の前駆体、溶媒、および反応制御物質を含み、塗膜の仮焼および焼成によって強誘電体薄膜が形成される組成物であり、上記反応制御物質の含有量が200°C〜300°Cの仮焼段階における成膜のヤング率が42GPa以下であって400°C〜500°Cの焼成段階における成膜のヤング率が55GPa以上になる量であることを特徴とする強誘電体薄膜形成用組成物を用いることによって、一回あたりの塗膜が厚くても焼成時にクラックが殆ど発生せずに結晶性の高い薄膜を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
強誘電体薄膜の前駆体、溶媒、および反応制御物質を含み、塗膜の仮焼および焼成によって強誘電体薄膜が形成される組成物であり、上記反応制御物質の含有量が200°C〜300°Cの仮焼段階における成膜のヤング率が42GPa以下であって400°C〜500°Cの焼成段階における成膜のヤング率が55GPa以上になる量であることを特徴とする強誘電体薄膜形成用組成物。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  C08L 39/06 ,  C08L 33/26 ,  C08L 39/00 ,  C08K 3/22
FI (5件)：
H01L21/316 G ,  C08L39/06 ,  C08L33/26 ,  C08L39/00 ,  C08K3/22
Fターム (13件)：
4J002BG131 ,  4J002BJ001 ,  4J002DE096 ,  4J002DE136 ,  4J002DE156 ,  4J002GH00 ,  4J002GQ00 ,  4J002HA05 ,  4J002HA08 ,  5F058BA04 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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