化合物半導体

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-176453
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022711
出願日： 2012年07月23日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：

【課題】高電圧駆動素子の為のSiC基板において結晶欠陥の低減が課題となっている。不純物濃度の高い結晶欠陥の多いベース基板に、ドリフト層として不純物濃度の低いエピタキシャル層を形成する公知の手法では、エピタキシャル層の結晶欠陥がベース基板と同様に多くなってしまうのが現状の課題である。【解決手段】不純物濃度の低い結晶欠陥の少ない種基板の表面にスマートカット層を設けその表面と、不純物の濃度の高い結晶欠陥の多いベース基板の表面とを貼り合せ、その後にスマートカット層で劈開して基板を分離し、不純物濃度の低い結晶欠陥の少ない面にドリフト層として必要な厚さと濃度のSiC膜をホモエピタタキシャル成長させ、結晶欠陥の少ないドリフト層を有する基板を作成することを特徴とする基板形成方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

高不純物濃度の結晶欠陥の多いベース基板に低不純物濃度の結晶欠陥の少ない単結晶化合物半導体を形成する手段として高不純物濃度の結晶欠陥の多いベース基板上に低不純物濃度の結晶欠陥の少ない単結晶化合物半導体層を貼り合せた構成を有する化合物半導体基板とこの基板を用いた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 , H01L 21/265 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L21/20 , H01L21/02 B , H01L21/265 Q , H01L29/78 658K , H01L29/78 658E

Fターム (13件)：

5F152LL02 , 5F152LM09 , 5F152LP01 , 5F152LP02 , 5F152LP07 , 5F152MM04 , 5F152MM18 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN22 , 5F152NP13 , 5F152NQ02 , 5F152NQ03

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