特許
J-GLOBAL ID：201403002433351191
真空中での電子放出のための半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人川口國際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-520682
公開番号（公開出願番号）：特表2014-523099
出願日： 2012年07月20日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：
本発明は、真空中での電子放出のための半導体素子であって、2つの並置されたヘッドテールNP接合部を形成するN/(P)/N順番に従うNおよびP型の、qは2以上の数値である、qの半導体層(10、20、30、40、50)の積層体であって、半導体層はIII-N系に属する半導体材料で生成され、積層体の2つの隣接する層は界面を形成する、積層体を備える、半導体素子に関する。 電子が高エネルギーに達する、真空に近接する積層体の層の半導体材料は、バンドギャップEgを有し、その値は次の不等、すなわち、Eg>c/2を満たし、cは半導体材料の電子親和力であり、P型半導体層は、積層体の層の間の界面のいずれか1つにおいて固定負電荷(σ-)を示すため、アクセプタタイプの不純物のドープまたは圧電効果のいずれかによって部分的にまたは完全に得られ、半導体層の積層体に印加された正バイアス電位は、前記積層体内を循環する電子の一部に、出力層L5(50)の放出ゾーンによる真空中での電子の放出に必要なエネルギーを供給する。応用:電子管用の冷陰極
請求項（抜粋）：
真空中での電子放出のための半導体素子であって、2つの並置されたヘッドテールNP接合部を形成するN/(P)/N順番に従うNおよびP型の、qは2以上の数値である、qの半導体層(10、20、30、40、50)の積層体であって、前記半導体層はIII-N系に属する半導体材料で生成され、前記積層体の2つの隣接する層は界面を形成し、前記積層体は2つの端部を備え、その端部の一方では、前記積層体の第1の層L1(10)の自由表面上に少なくとも1つのエミッタ抵抗接点ランドEMTを備え、他方の端部では、出力層L5(50)の放出ゾーンによる前記電子の前記放出のために前記真空に接する前記出力層L5(50)の別の自由表面の一部分上に少なくとも1つのコレクタ電気接点ランドCOLを備え、前記電子が高エネルギーに達する、前記真空に近接する前記積層体の前記層の前記半導体材料は、バンドギャップEgを有し、その値は次の不等、すなわち、Eg>c/2を満たし、cは前記半導体材料の電子親和力であり、前記P型半導体層は、前記積層体の前記層の間の前記界面のいずれか1つにおいて固定負電荷(σ-)を示すため、圧電効果によって部分的にまたは完全に得られ、前記圧電効果は自発的および/または制約的なタイプのものであることを特徴とする、積層体を備え、基準電位(M)に設定された前記接合部に順バイアスを印加し、正バイアス電位(Vce)に設定された前記接合部に逆バイアスを印加するため、他の接点ランドに印加される前記基準電位(M)と比べて、前記接点ランドの1つに前記正バイアス電位(Vce)を印加するためのバイアス手段(110)を含み、半導体層の前記積層体に印加された前記正バイアス電位によって誘起される内部の電界は、前記積層体内を循環する前記電子の一部に、前記出力層L5(50)の前記放出ゾーンによる前記真空中への電子の放出に必要なエネルギーを供給する、半導体素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5C135DD30
, 5C135GG03
, 5C135GG09
, 5C135HH02
, 5C135HH07
