Cu配線の形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-153244
公開番号（公開出願番号）：特開2014-017345
出願日： 2012年07月09日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：

【課題】凹部にCu配線を形成する際に、ボイド等を発生させずにかつ配線抵抗の上昇を極力抑えて、エレクトロマイグレーション耐性の高いCu配線を得ることができるCu配線の形成方法を提供すること。【解決手段】トレンチ203を有するウエハWの全面にバリア膜204を形成する工程と、バリア膜204の上にRu膜205を形成する工程と、Ru膜205の上にエレクトロマイグレーション耐性が純Cuよりも高く、かつ抵抗値が許容範囲となる程度の合金成分を含有するCu合金膜206をPVDにより形成してトレンチ203にCu合金膜を埋め込む工程と、Cu合金膜206の上に、積み増し層207を形成する工程と、CMPにより全面を研磨してトレンチ203にCu配線を形成する工程とを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板に形成された所定パターンの凹部にCu配線を形成するCu配線の形成方法であって、少なくとも前記凹部の表面にバリア膜を形成する工程と、エレクトロマイグレーション耐性が純Cuよりも高く、かつ抵抗値が許容範囲となる程度の合金成分を含有するCu合金膜をPVDにより形成して前記凹部内に前記Cu合金膜を埋め込む工程と、次いで、前記Cu合金膜の上に積み増し層を形成する工程と、 CMPにより全面を研磨して前記凹部内にCu配線を形成する工程とを有することを特徴とするCu配線の形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/532 , H01L 21/285 , H01L 21/28 , C23C 14/14 , C23C 14/34 , C23C 16/16

FI (8件)：

H01L21/88 M , H01L21/285 S , H01L21/285 C , H01L21/28 301R , H01L21/285 301 , C23C14/14 D , C23C14/34 N , C23C16/16

Fターム (86件)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029AA29 , 4K029BA08 , 4K029BA21 , 4K029BB03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029CA13 , 4K029DA08 , 4K029DC04 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 4K029FA07 , 4K030AA12 , 4K030BA01 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030HA03 , 4K030KA02 , 4K030KA23 , 4K030LA15 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104BB04 , 4M104BB39 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104DD40 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH01 , 4M104HH16 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH12 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH31 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ07 , 5F033JJ12 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ31 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033LL02 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP02 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033PP20 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ91 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033XX05 , 5F033XX10

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