特許
J-GLOBAL ID:201403003259662391
銅配線半導体用洗浄剤
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
稲葉 良幸
, 大貫 敏史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-189550
公開番号(公開出願番号):特開2014-049521
出願日: 2012年08月30日
公開日(公表日): 2014年03月17日
要約:
【課題】銅配線の腐食、特にガルバニック腐食を発生させることなく、かつ砥粒、有機残渣物、および金属残渣物の除去性に優れる銅配線半導体用の洗浄剤を提供することを目的とする。【解決手段】銅配線とバリアメタル層との腐食電位差が1.0V以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤であり、水酸基を1個以上有するアミン(A1)および下記一般式(1)で表され水酸基を含有しない脂肪族ポリアミン(A2)からなる群より選ばれる1種以上のアミン(A)、ポリフェノール化合物(B)並びに水を必須成分とし、使用時のpHが7.0〜13.0であることを特徴とする。【選択図】なし
請求項(抜粋):
銅配線とバリアメタル層との腐食電位差が1.0V以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。
IPC (3件):
H01L 21/304
, C11D 7/32
, C11D 7/26
FI (3件):
H01L21/304 647A
, C11D7/32
, C11D7/26
Fターム (26件):
4H003BA12
, 4H003DA15
, 4H003EA23
, 4H003EB07
, 4H003EB08
, 4H003EB09
, 4H003EB13
, 4H003EB14
, 4H003EB19
, 4H003EB20
, 4H003EB28
, 4H003ED02
, 4H003FA16
, 4H003FA21
, 4H003FA28
, 5F157AA09
, 5F157AA96
, 5F157BC07
, 5F157BC54
, 5F157BE12
, 5F157BF24
, 5F157BF39
, 5F157BF52
, 5F157BF59
, 5F157DB03
, 5F157DB57
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