特許
J-GLOBAL ID：201403003580427167
面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
片寄 恭三
, 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-234299
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086562
出願日： 2012年10月24日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：
【課題】小型化が可能な面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】面発光型半導体レーザアレイ10は、メサMを有する発光部を複数含む。発光部のn側電極110はメサMの周囲に形成され、n側電極110は、n側の引き出し配線112を介してn側の電極パッド114に接続される。発光部のp側電極120はメサMの頂部に形成され、p側電極120は、p側の引き出し配線122を介してp側の電極パッド124に接続される。メサMは、溝20を介してパッド形成領域30と隔離され、溝20内には絶縁材140が充填される。n側の引き出し配線112とp側の引き出し配線122は、絶縁材140を介して平行に重複して延在する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性領域、第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を含む発光部が形成された面発光型半導体レーザであって、
前記発光部の第1の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続され、第1の方向に延在する第1の延在部分を含む第1の配線層と、
前記発光部の第2の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続され、前記第1の方向に延在する第2の延在部分を含む第2の配線層と、
前記発光部の周囲に形成された溝を充填する絶縁部材とを含み、
前記第1の延在部分は、前記絶縁部材の底面側を延在し、前記第2の延在部分は、前記絶縁部材の上面側を延在する、面発光型半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC52
, 5F173AD05
, 5F173AH03
, 5F173AK22
, 5F173AL07
, 5F173AL15
, 5F173MA02
, 5F173MA06
, 5F173MB01
, 5F173MC01
, 5F173MD65
, 5F173ME24
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (5件)
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