特許
J-GLOBAL ID:201403004029151939

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西村 知浩
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-254018
公開番号(公開出願番号):特開2014-102966
出願日: 2012年11月20日
公開日(公表日): 2014年06月05日
要約:
【課題】コストを削減するとともに、一定出力の下においてプラズマ処理の効果をより一層高めることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】大気圧又はその近傍下において処理ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ生成部と、プラズマが流動する第1空間部22と、被処理物Tと前記プラズマとの位置関係に基づき第1空間部22の圧力よりも低圧状態となり得る第2空間部24と、を有し、被処理物Tとプラズマとが所定の距離まで接近あるいは接触したときに、第2空間部24が低圧状態になって第1空間部22のプラズマの一部が第2空間部24に流入する。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
被処理物に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、 大気圧又はその近傍下において処理ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ生成部と、 前記プラズマが流動する第1空間部と、 前記被処理物と前記プラズマとの位置関係に基づき前記第1空間部の圧力よりも低圧状態となり得る第2空間部と、 を有し、 前記被処理物と前記プラズマとが所定の距離まで接近あるいは接触したときに、前記第2空間部が前記低圧状態になって前記第1空間部の前記プラズマの一部が前記第2空間部に流入することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件):
H05H 1/24 ,  C23C 16/505
FI (2件):
H05H1/24 ,  C23C16/505
Fターム (4件):
4K030BA38 ,  4K030FA03 ,  4K030JA09 ,  4K030KA15

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