特許
J-GLOBAL ID：201403004051944527
メモリセルおよびメモリセルアレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
大菅 義之
, 野村 泰久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-535731
公開番号（公開出願番号）：特表2014-528656
出願日： 2012年09月18日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：
幾つかの実施形態は、メモリセルを含む。メモリセルは、第一の電極と、第一の電極上のトレンチ形状プログラマブル材料構造とを有してもよい。トレンチ形状は開口を画定する。プログラマブル材料は、導電性ブリッジを可逆的に保持するように構成されてもよい。メモリセルは、プログラマブル材料に直接相対するイオンソース材料を有し、トレンチ形状プログラマブル材料によって画定される開口内に第二の電極を有してもよい。幾つかの実施形態はメモリセルのアレイを含む。アレイは、第一の導電性ラインと、第一のライン上のトレンチ形状プログラマブル材料構造とを有してもよい。トレンチ形状構造は、その中に開口を画定してもよい。イオンソース材料は、プログラマブル材料に直接相対し、第二の導電性ラインは、イオンソース材料上かつ、トレンチ形状構造によって画定された開口内にあってもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一の電極と、
前記第一の電極上のトレンチ形状プログラマブル材料構造であって、前記トレンチ形状はその中に開口を画定し、前記プログラマブル材料は、導電性ブリッジを可逆的に保持するように構成され、前記メモリセルは、前記導電性ブリッジが前記プログラマブル材料内に保持されるとき低抵抗状態にあり、前記導電性ブリッジが前記プログラマブル材料内にないとき高抵抗状態にある、トレンチ形状プログラマブル材料構造と、
前記プログラマブル材料に直接相対するイオンソース材料と、
前記トレンチ形状プログラマブル材料によって画定される前記開口へと伸長する第二の電極と、
を含む、
ことを特徴とするメモリセル。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F083FZ10
, 5F083GA10
, 5F083GA25
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA56
, 5F083JA60
, 5F083KA00
, 5F083PR18
