可視光応答性半導体光電極

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-152506
公開番号（公開出願番号）：特開2014-015642
出願日： 2012年07月06日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：

【課題】半導体材料の光反応中の安定性を向上させ、且つ効率が低下しない、安定化された可視光応答性半導体光電極を提供する。【解決手段】構成元素としてBi、V、W、及び酸素を含有してなる可視光応答性の半導体からなる半導体層上に、Nb、Sn、Zr、La、Ti、Bi、Taからなる群から選ばれた1種以上の元素を含む化合物からなる保護膜を被覆することにより、安定化された可視光応答性半導体電極を得る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

構成元素としてBi、V、W、及び酸素を含有してなる可視光応答性の半導体からなる半導体層上に、Nb、Sn、Zr、La、Ti、Bi、Taからなる群から選ばれた1種以上の元素を含む化合物からなる保護膜が被覆されていることを特徴とする安定化された可視光応答性半導体電極。

IPC (3件)：

C25B 11/06 , H01L 31/04 , H01M 14/00

FI (3件)：

C25B11/06 B , H01L31/04 Z , H01M14/00 P

Fターム (15件)：

4K011AA04 , 4K011AA25 , 4K011AA66 , 4K011DA01 , 5F151AA14 , 5F151FA03 , 5F151FA06 , 5F151FA08 , 5H032AA06 , 5H032AS06 , 5H032AS16 , 5H032BB05 , 5H032CC14 , 5H032CC16 , 5H032HH01

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