特許
J-GLOBAL ID：201403004393286866

X線反射装置及びその製造方法

発明者：
倉島 優一

倉島 優一 について

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廣島 洋

廣島 洋 について

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伊藤 寿浩

伊藤 寿浩 について

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前田 龍太郎

前田 龍太郎 について

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高木 秀樹

高木 秀樹 について

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池原 毅

池原 毅 について

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江副 祐一郎

江副 祐一郎 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について

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公立大学法人首都大学東京

公立大学法人首都大学東京 について


代理人 (6件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-014320
公開番号（公開出願番号）：特開2014-145659
出願日： 2013年01月29日
公開日（公表日）： 2014年08月14日
要約：
【課題】シリコン基板を高温下でプレス加工により塑性変形させて湾曲させる場合の問題点を解決することのできるX線反射装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】X線反射装置の製造方法は、シリコン基板に、一方の面から他方の面へ貫通する複数の穴であって、それぞれの側壁をX線反射面として使用する複数の穴を設けるステップと、前記複数の穴を有するシリコン基板の一方の面に金属薄膜を鍍金することにより、当該金属薄膜の応力によって前記シリコン基板を湾曲させるステップとを含む。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
一方の面から他方の面へ貫通する穴を複数有し、当該穴の側壁をX線反射面として使用するシリコン基板であって、当該一方の面又は他方の面のいずれか一方に金属薄膜を鍍金し、当該鍍金した薄膜の応力により湾曲したシリコン基板を含むことを特徴とするX線反射装置。
IPC (3件)：
G21K 1/06 ,  G21K 7/00 ,  G21K 1/00
FI (4件)：
G21K1/06 D ,  G21K7/00 ,  G21K1/06 B ,  G21K1/00 X
Fターム (16件)：
2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ37 ,  2G188AA00 ,  2G188AA25 ,  2G188AA27 ,  2G188BB02 ,  2G188CC28 ,  2G188CC32 ,  2G188DD05 ,  2G188DD09 ,  2G188DD17 ,  2G188DD41 ,  2G188DD43 ,  2G188DD44
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (4件)
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