特許
J-GLOBAL ID：201403004481349690
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-042493
公開番号（公開出願番号）：特開2014-170867
出願日： 2013年03月05日
公開日（公表日）： 2014年09月18日
要約：
【課題】炭化ケイ素を含む半導体基板上にパワーデバイスを有する半導体装置において、ガードリングのエッジ部分において衝突イオン化によって高エネルギーのキャリアが発生した場合でも、高信頼なターミネーション構造を実現する。【解決手段】SiCパワーデバイスのターミネーション構造を形成するp型ガードリング3上で、p型ガードリング及びp型のJTE領域との間に第1n領域10を形成することでポテンシャル障壁を形成し、高エネルギーのキャリアがパッシべーション膜6に注入されることを防ぐ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層上に形成された前記第1導電型と異なる第2導電型を有するガードリング領域と、
前記ドリフト層上であって、前記ガードリング領域の外側に形成された第2導電型のJTE(ジャンクションターミネーションエクステンション)領域と、
前記ドリフト層上に形成された第1導電型の第1n領域と、
前記第1n領域上に形成されたパッシベーション膜と、
前記ドリフト層上に形成された表面電極と、
前記基板の裏面に接して形成された裏面電極と、
を備え、
前記第1n領域は、前記ガードリング領域上であって、前記ガードリング領域と前記JTE領域の間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/06
, H01L 29/868
, H01L 29/861
, H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/336
H01L29/06 301D
, H01L29/06 301G
, H01L29/91 F
, H01L29/91 D
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658A
, H01L29/06 301V
, H01L29/91 H
