特許
J-GLOBAL ID:201403004537220997

有機光電変換素子、その製造方法及び太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 八田国際特許業務法人
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2012062168
公開番号(公開出願番号):WO2012-153845
出願日: 2012年05月11日
公開日(公表日): 2012年11月15日
要約:
【課題】本発明の目的は、光電変換効率が高く耐久性に優れ、かつ塗布性も良好な有機光電変換素子、その製造方法及びその有機光電変換素子を用いた太陽電池を提供することにある。【解決手段】透明な基板上に、透明な第1の電極、p型有機半導体材料とn型有機半導体材料とを含有する光電変換層、及び第2の電極をこの順に有する有機光電変換素子であって、該光電変換層が、該p型有機半導体材料として下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機光電変換素子。(式中、Xは、それぞれ独立して、フッ素原子、又は塩素原子を表す。R1〜R3は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フッ化アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フッ化アルコキシ基、アルキルチオ基、フッ化アルキルチオ基、アルキルアミノ基、フッ化アルキルアミノ基、アリール基、若しくはヘテロアリール基、又はこれらの基が互いに結合した連結基を表し、前記アリール基又はヘテロアリール基は、縮合環構造であってもよい。nは、それぞれ独立して、0〜2の整数を表す。)
請求項(抜粋):
透明な基板上に、透明な第1の電極、p型有機半導体材料とn型有機半導体材料とを含有する光電変換層、及び第2の電極をこの順に有する有機光電変換素子であって、該光電変換層が、該p型有機半導体材料として下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機光電変換素子。
IPC (2件):
H01L 51/42 ,  C08G 61/12
FI (2件):
H01L31/04 D ,  C08G61/12
Fターム (8件):
4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA05 ,  4J032BB03 ,  4J032BB06 ,  4J032BC03 ,  4J032CG01 ,  5F151AA11

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