特許

J-GLOBAL ID：201403004666518145

エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法

発明者： 荒井 剛
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 張川 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-213787
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067955
出願日： 2012年09月27日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：

【課題】半導体ウェーハの周縁部のエピタキシャル層の膜厚をより簡便な方法で均一化できるエピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造装置としての気相成長装置1の反応容器2内にはサセプタ12が配置される。そのサセプタ12にシリコンウェーハWが載置される。気相成長装置1はサセプタ12を水平回転させる回転機構14と上下動させる上下動機構15とを備える。シリコンウェーハW上にエピタキシャル層を気相成長させる際には、回転機構14によりサセプタ12を水平回転させつつ、ガス供給方向(ガス供給側21、ガス排出側36)に向いたシリコンウェーハWの周縁部の結晶方位が<110>方位のときには、上下動機構15によりサセプタ12を下降させる。ガス供給方向に向いた結晶方位が<100>方位のときにはサセプタ12を上昇させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応容器内に水平に支持されたサセプタの載置面に半導体ウェーハを載置し、前記サセプタをサセプタ中心を回転軸として水平回転させつつ、前記反応容器の水平方向における一端側からエピタキシャル層形成用の原料ガスを供給して、前記半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造装置において、 前記原料ガスの供給方向に向いた前記半導体ウェーハの周縁部における結晶方位の、前記サセプタの水平回転にともなう周期的な変化に応じて、前記サセプタをその載置面に対して垂直な方向に周期的に上下させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/44 ,  C30B 29/06 ,  C30B 25/16

FI (5件)：

H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 G ,  C30B29/06 504C ,  C30B25/16

Fターム (36件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DB01 ,  4G077EG14 ,  4G077EG24 ,  4G077EH01 ,  4G077TF06 ,  4G077TG04 ,  4G077TJ02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030KA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB01 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF02 ,  5F045EF20 ,  5F045EK11 ,  5F045EM02 ,  5F045EM10