特許
J-GLOBAL ID：201403006019293886
光吸収層、太陽電池、およびこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-008673
公開番号（公開出願番号）：特開2014-139990
出願日： 2013年01月21日
公開日（公表日）： 2014年07月31日
要約：
【課題】セレン化法により、反射率が低く、かつ膜質が良好な光吸収層を製造する。【解決手段】光吸収層の製造方法は、プリカーサ層形成工程、第1の熱処理工程、および第2の熱処理工程を有する。プリカーサ層形成工程は、13族元素の含有量に対する11族元素の含有量の原子比が1.0未満であるプリカーサ層を形成する。第1の熱処理工程は、セレン源を含む雰囲気下、熱処理温度をT1かつ熱処理時間をt1としたとき、0≦Log((T1-350)×(t1-5)2)≦100を満たす熱処理を行う。第2の熱処理工程は、セレン源または硫黄源を含む雰囲気下、熱処理温度をT2、熱処理時間をt2としたとき、0≦Log((T2-560)×(t2-10)2)≦40を満たす熱処理を行う。第1の熱処理工程への昇温速度は3〜12°C/分、第1の熱処理工程から第2の熱処理工程への昇温速度は3〜12°C/分である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
セレン化法によるカルコパイライト型の光吸収層の製造方法であって、
11族元素および13族元素を含有し、前記13族元素の含有量に対する前記11族元素の含有量の原子比が1.0未満であるプリカーサ層を形成するプリカーサ層形成工程と、
前記プリカーサ層に対し、セレン源を含む雰囲気下、350〜550°Cの温度範囲内かつ5〜30分の時間範囲内の熱処理であって、熱処理温度をT1かつ熱処理時間をt1としたとき、0≦Log((T1-350)×(t1-5)2)≦100を満たす熱処理を行う第1の熱処理工程と、
前記プリカーサ層に対し、セレン源または硫黄源を含む雰囲気下、560〜650°Cの温度範囲内かつ10〜60分の時間範囲内の熱処理であって、熱処理温度をT2、熱処理時間をt2としたとき、0≦Log((T2-560)×(t2-10)2)≦40を満たす熱処理を行う第2の熱処理工程とを有し、かつ
前記第1の熱処理工程への昇温速度が3〜12°C/分、前記第1の熱処理工程から前記第2の熱処理工程への昇温速度が3〜12°C/分であることを特徴とする光吸収層の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F151AA09
, 5F151AA10
, 5F151CB11
, 5F151CB14
, 5F151CB15
, 5F151CB24
, 5F151EA16
, 5F151FA02
, 5F151FA06
, 5F151GA03
, 5F151HA20
