半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：速水進治 , 天城聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-078901
公開番号（公開出願番号）：特開2014-203970
出願日： 2013年04月04日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：

【課題】不純物のイオン注入工程の数を少なくする。【解決手段】第1トランジスタTR1の第1ソース領域SOU1及び第1ドレイン領域DRN1は第1導電型であり、第2トランジスタTR2の第2ソース領域SOU2及び第2ドレイン領域DRN2は第2導電型である。第1トランジスタTR1は、第2導電型の第1ディープウェルDW1内に形成されており、第2トランジスタTR2の第2ドレイン領域DRN2は第2導電型の第2ディープウェルDW2内に形成されている。そして、第1ディープウェルDW1と第2ディープウェルDW2は、同一のイオン注入工程で形成されている。このため、半導体層EPIの表面を基準にした深さでみた場合、第2ディープウェルDW2の不純物濃度のピーク位置は、第1ディープウェルDW1のピーク位置の90%以上110%以下の位置にある。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層と、前記半導体層を用いて形成された第1トランジスタ及び第2トランジスタと、を備え、前記第1トランジスタは、前記半導体層に形成された第2導電型の第1ディープウェルと、前記第1ディープウェルに形成された第1導電型の第1ソース領域と、前記第1ディープウェルに形成され、平面視において前記第1ソース領域から離れている第1導電型の第1低濃度領域と、前記第1低濃度領域に形成された第1導電型の第1ドレイン領域と、前記半導体層上に形成され、平面視において前記第1ソース領域及び前記第1低濃度領域の間に位置する第1ゲート絶縁膜と、前記第1ゲート絶縁膜上に位置している第1ゲート電極と、を有し、前記第2トランジスタは、前記半導体層に形成された第2導電型の第2ディープウェルと、前記半導体層に形成された第2導電型の第2ソース領域と、前記第2ディープウェルに形成された第2導電型の第2ドレイン領域と、前記第2ディープウェルに形成され、平面視において前記第2ドレイン領域と前記第2ソース領域の間に位置している第1導電型の第2低濃度領域と、前記半導体層上に形成され、平面視において前記第2ソース領域及び前記第2低濃度領域の間に位置する第2ゲート絶縁膜と、前記第2ゲート絶縁膜上に位置している第2ゲート電極と、を有し、前記半導体層の表面を基準にした深さでみた場合、前記第2ディープウェルの不純物濃度のピーク位置は、前記第1ディープウェルのピーク位置の90%以上110%以下の位置にある半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/092 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 27/04

FI (7件)：

H01L27/08 321B , H01L27/08 102E , H01L27/08 321E , H01L29/78 301D , H01L29/78 653A , H01L29/78 656B , H01L27/08 321N

Fターム (40件)：

5F048AA05 , 5F048AA09 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC06 , 5F048BA02 , 5F048BA06 , 5F048BB01 , 5F048BB03 , 5F048BB05 , 5F048BB16 , 5F048BB19 , 5F048BB20 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BC18 , 5F048BD07 , 5F048BD10 , 5F048BE03 , 5F048BE05 , 5F048BE09 , 5F048BF18 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F048CB07 , 5F140AA40 , 5F140AB03 , 5F140AC21 , 5F140BA16 , 5F140BD19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BH04 , 5F140BH13 , 5F140BH17 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BK13 , 5F140CB01 , 5F140CB08

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