特許
J-GLOBAL ID:201403006159483596
有機EL素子の製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
板谷 康夫
, 田口 勝美
, 水田 愼一
, 板谷 真之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-262425
公開番号(公開出願番号):特開2014-110086
出願日: 2012年11月30日
公開日(公表日): 2014年06月12日
要約:
【課題】有機EL素子の製造装置において、成膜される蒸着膜のキャリア移動度を適宜に調整する。【解決手段】製造装置1は、蒸着材料32を蒸発させる蒸発源3を有する蒸着ユニット10と、基板2を加熱又は冷却する基板温度制御機構と、を備える。蒸発源3には、キャリア輸送層を成膜するためのキャリア輸送材料が充填され、基板温度制御機構は、キャリア輸送層の成膜時の基板温度とキャリア移動度との相関データを記憶した記憶部52と、所望のキャリア移動度を入力する入力部51と、上記相関データ及び入力されたキャリア移動度から成膜時の基板温度を算出する算出部(制御部53)と、を有し、キャリア輸送層の成膜時に、基板2が算出された基板温度となるように基板2を加熱又は冷却する。この構成によれば、基板2の温度を制御することにより、成膜される蒸着膜のキャリア移動度を調整することができる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
有機発光層にキャリアを輸送するキャリア輸送層を有する有機EL素子の製造装置であって、
蒸着材料を蒸発させる蒸発源を有し、蒸発した蒸着材料を基板に付着させて蒸着膜を成膜する蒸着ユニットと、
基板を加熱又は冷却する基板温度制御機構と、を備え、
前記蒸着ユニットの蒸発源には、前記キャリア輸送層を成膜するためのキャリア輸送材料が充填され、
前記基板温度制御機構は、前記キャリア輸送層の成膜時の基板温度とキャリア移動度との相関データを記憶した記憶部と、所望のキャリア移動度を入力する入力部と、前記記憶部に記憶された相関データ及び入力されたキャリア移動度から成膜時の基板温度を算出する算出部と、を有し、前記キャリア輸送層の成膜時に、基板が前記算出部によって算出された基板温度となるように該基板を加熱又は冷却することを特徴とする有機EL素子の製造装置。
IPC (3件):
H05B 33/10
, H01L 51/50
, C23C 14/24
FI (3件):
H05B33/10
, H05B33/14 A
, C23C14/24 K
Fターム (15件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107BB02
, 3K107BB03
, 3K107CC11
, 3K107CC45
, 3K107GG28
, 3K107GG32
, 4K029BA62
, 4K029CA01
, 4K029DA08
, 4K029DB14
, 4K029DB17
, 4K029EA08
, 4K029KA01
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