特許

J-GLOBAL ID：201403006271056692

電子ビーム位置制御方法、電子ビーム蒸着装置、半導体素子の製造方法、制御プログラムおよび可読記憶媒体

発明者： 向井 寿夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-186947
公開番号（公開出願番号）：特開2014-043619
出願日： 2012年08月27日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：

【課題】蒸着材料の中心に照射する電子ビーム照射位置の測定精度を向上させてバッチ間の蒸着膜の膜厚差が低減でき、所望の厚さの蒸着膜を安定して得る。【解決手段】蒸着処理前に電子ビーム6の出力照射位置を蒸着材料2の中心位置に位置合わせする電子ビーム照射位置自動調整手段を有している。この電子ビーム照射位置自動調整手段は、EB(エレクトロンビーム)ガン装置7を駆動制御して電子ビーム6を自動的にX方向およびY方向に順次走査する電子ビーム走査手段232と、電子ビーム6のビーム量を計測するビーム量計測手段(電極部12およびマスク部13)に入射した電子ビーム6のビーム量が最大となる電子ビーム6の出力照射位置を固定する最大ビーム量検出・位置固定手段233とを有している。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

蒸着材料に照射して該蒸着材料を加熱蒸発させる電子ビームの出力照射位置を制御する電子ビーム位置制御方法であって、電子ビーム照射位置自動調整手段が、蒸着処理前に該電子ビームの出力照射位置を該蒸着材料の中心位置に位置合わせする電子ビーム照射位置自動調整工程を有する電子ビーム位置制御方法。

IPC (2件)：

C23C 14/30 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

C23C14/30 Z ,  H01L21/285 P

Fターム (12件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB03 ,  4K029DB04 ,  4K029DB14 ,  4K029DB21 ,  4K029DB23 ,  4K029JA03 ,  4M104DD34 ,  4M104HH20