特許
J-GLOBAL ID：201403006502095092
端子の製造方法、その製造方法に用いる端子材、その製造方法により製造された端子、電線の終端接続構造体およびその製造方法、ならびに、端子用の銅または銅合金板材
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
飯田 敏三
, 宮前 尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-034060
公開番号（公開出願番号）：特開2014-164964
出願日： 2013年02月24日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：
【課題】溶接部とその近傍の強度を大きく低下させることなく、しかもレーザ溶接効率を高めて突合せ溶接できる端子の製造方法等を提供する。【解決手段】電線と圧着接合する管体かしめ部30を有する端子1の製造方法であって、湾曲されて管体かしめ部30を形成する管展開部を備えた端子材の銅または銅合金からなる基材を用意し、管展開部上に、粒径が10nm以上300nm未満の高融点無機粒子を10〜70%の体積分率で含有するニッケル層を形成し、前記ニッケル層上にスズ層を最表層として形成し、管展開部を湾曲させて突き合わせて管体に成形し、突き合わせた部分を近赤外線レーザ光照射によるレーザ溶接によって接合して管体かしめ部30に形成する各工程をこの順に有してなる端子1の製造方法を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電線と圧着接合する管体かしめ部を有する端子の製造方法であって、
湾曲されて前記管体かしめ部を形成する管展開部を備えた端子材の銅または銅合金からなる基材を用意し、
前記管展開部上に、粒径が10nm以上300nm未満の高融点無機粒子を10〜70%の体積分率で含有するニッケル層を形成し、
前記ニッケル層上にスズ層を最表層として形成し、
前記管展開部を湾曲させて突き合わせて管体に成形し、
突き合わせた部分を近赤外線レーザ光照射によるレーザ溶接によって接合して前記管体かしめ部に形成する
各工程をこの順に有してなる端子の製造方法。
IPC (5件)：
H01R 43/048
, H01B 5/02
, H01R 4/62
, C25D 7/00
, C25D 15/02
H01R43/048 Z
, H01B5/02 A
, H01R4/62 A
, C25D7/00 H
, C25D15/02 F
, C25D15/02 G
4K024AA03
, 4K024AA07
, 4K024AA21
, 4K024AB02
, 4K024AB12
, 4K024BA09
, 4K024BB10
, 4K024GA14
, 5E063CA10
, 5G307BB02
, 5G307BB05
