特許

J-GLOBAL ID：201403006589487560

金属もしくは半導体細線およびその製造方法

発明者： 益田 秀樹 ,  近藤 敏彰 ,  高木 悠衣
出願人/特許権者： 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
代理人 (2件)： 伴 俊光 ,  細田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-253396
公開番号（公開出願番号）：特開2014-100722
出願日： 2012年11月19日
公開日（公表日）： 2014年06月05日
要約：

【課題】煩雑な操作を必要とせず、溶融紡糸法によって金属もしくは半導体細線を長尺で連続的に製造する技術を提供する。【解決手段】金属を陽極酸化することにより形成される、細孔を有する多孔性材料を口金とし、加熱により溶融した金属もしくは半導体を加圧することで前記口金の細孔から吐出し、吐出後に凝固させることにより、金属もしくは半導体の細線を形成することを特徴とする、金属もしくは半導体細線の製造方法、およびその方法により製造された金属もしくは半導体細線。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

金属を陽極酸化することにより形成される、細孔を有する多孔性材料を口金とし、加熱により溶融した金属もしくは半導体を加圧することで前記口金の細孔から吐出し、吐出後に凝固させることにより、金属もしくは半導体の細線を形成することを特徴とする、金属もしくは半導体細線の製造方法。

IPC (2件)：

B21C 23/00 ,  C25D 11/04

FI (2件)：

B21C23/00 A ,  C25D11/04 E

Fターム (10件)：

4E029AA04 ,  4E029AA06 ,  4E029AA07 ,  4E029AB04 ,  4E029MB03 ,  4E029MB07 ,  4E029MB08 ,  4E029RA03 ,  4E029SA01 ,  4E029SA07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭49-135820
  
• 金属ナノワイヤーおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-195973   出願人：財団法人神奈川科学技術アカデミー
• 特公昭49-033248