特許
J-GLOBAL ID：201403006821944280
パワー半導体モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-048326
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175545
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：
【課題】ナット収容部の前側のレイアウトおよび工程の順序の制約を低減する。【解決手段】パワー半導体チップ1a1の下側電極1a1aに電気的に接続された外部導出端子3b1と、外部導出端子3b2と、外部導出端子3b1,3b2がインサートされた外囲樹脂ケース3とを有し、下側電極1a1aに電気的に接続された導体パターン2c1と、外部導出端子3b1の下端水平部3b1bとを半田接合によって接続し、外部導出端子3b1の上端水平部3b1aの下側のナット3c1を収容するナット収容部3a2aと、外部導出端子3b2の上端水平部3b2aの下側のナット3c2を収容するナット収容部3a2bとを、外囲樹脂ケース3の後側壁部3a2と一体的に形成し、左右方向に配列したパワー半導体モジュール100において、外部導出端子3b1の下端水平部3b1bをナット収容部3a2aの左側または右側に配置し、外部導出端子3b2の下端水平部3b2bをナット収容部3a2aの左側または右側に配置した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下側電極(1a1a)と上側電極(1a1b)との間を大電流が流れる第1パワー半導体チップ(1a1)と、下側電極(1b1a)と上側電極(1b1b)との間を大電流が流れる第2パワー半導体チップ(1b1)とを具備し、
第1パワー半導体チップ(1a1)の下側電極(1a1a)に電気的に接続された第1外部導出端子(3b1)と、第2パワー半導体チップ(1b1)の上側電極(1b1b)に電気的に接続された第2外部導出端子(3b2)と、第1パワー半導体チップ(1a1)の上側電極(1a1b)および第2パワー半導体チップ(1b1)の下側電極(1b1a)に電気的に接続された第3外部導出端子(3b3)とを具備し、
第1外部導出端子(3b1)と第2外部導出端子(3b2)と第3外部導出端子(3b3)とがインサートされて、樹脂材料の成形により形成された外囲樹脂ケース(3)を設け、
第1外部導出端子(3b1)の上端水平部(3b1a)の下側に配置されたナット(3c1)を収容するための第1ナット収容部(3a2a)と、第2外部導出端子(3b2)の上端水平部(3b2a)の下側に配置されたナット(3c2)を収容するための第2ナット収容部(3a2b)と、第3外部導出端子(3b3)の上端水平部(3b3a)の下側に配置されたナット(3c3)を収容するための第3ナット収容部(3a4a)とを外囲樹脂ケース(3)に設け、
第1パワー半導体チップ(1a1)の下側電極(1a1a)に電気的に接続された第1導体パターン(2c1)と、第1外部導出端子(3b1)の下端水平部(3b1b)とを半田接合によって電気的に接続し、
第1パワー半導体チップ(1a1)の上側電極(1a1b)および第2パワー半導体チップ(1b1)の下側電極(1b1a)に電気的に接続された第2導体パターン(2c2)と、第3外部導出端子(3b3)の下端水平部(3b3b)とを半田接合によって電気的に接続し、
第2パワー半導体チップ(1b1)の上側電極(1b1b)に電気的に接続された第3導体パターン(2c3)と、第2外部導出端子(3b2)の下端水平部(3b2b)とを半田接合によって電気的に接続し、
前側壁部(3a1)と後側壁部(3a2)と左側壁部(3a3)と右側壁部(3a4)とを外囲樹脂ケース(3)に設けることによって、上下方向に延びている貫通穴を有するように、外囲樹脂ケース(3)を概略筒形形状に形成し、
外囲樹脂ケース(3)の上端部を蓋体(4)によって覆い、外囲樹脂ケース(3)の下端部をベース部材(2)によって覆ったパワー半導体モジュール(100)において、
第1ナット収容部(3a2a)の真下に第1パワー半導体チップ(1a1)あるいは第2パワー半導体チップ(1b1)を配置することなく、第1ナット収容部(3a2a)の下面(3a2a2)とベース部材(2)の上面とを対向させ、
第2ナット収容部(3a2b)の真下に第1パワー半導体チップ(1a1)あるいは第2パワー半導体チップ(1b1)を配置することなく、第2ナット収容部(3a2b)の下面(3a2b2)とベース部材(2)の上面とを対向させ、
第3ナット収容部(3a4a)の真下に第1パワー半導体チップ(1a1)あるいは第2パワー半導体チップ(1b1)を配置することなく、第3ナット収容部(3a4a)の下面(3a4a2)とベース部材(2)の上面とを対向させ、
第1外部導出端子(3b1)の上端水平部(3b1a)と下端水平部(3b1b)との間の中間部(3b1c)に、外囲樹脂ケース(3)を構成する樹脂材料から露出せしめられている露出部分(3b1c2)と、外囲樹脂ケース(3)を構成する樹脂材料によって覆われている非露出部分(3b1c1)とを設け、
第1外部導出端子(3b1)の中間部(3b1c)の露出部分(3b1c2)を、第1ナット収容部(3a2a)の下面(3a2a2)から鉛直方向下向きに延ばすと共に、第1外部導出端子(3b1)の中間部(3b1c)の露出部分(3b1c2)の全体を鉛直面内に配置し、
第2外部導出端子(3b2)の上端水平部(3b2a)と下端水平部(3b2b)との間の中間部(3b2c)に、外囲樹脂ケース(3)を構成する樹脂材料から露出せしめられている露出部分(3b2c2)と、外囲樹脂ケース(3)を構成する樹脂材料によって覆われている非露出部分(3b2c1)とを設け、
第2外部導出端子(3b2)の中間部(3b2c)の露出部分(3b2c2)を、第2ナット収容部(3a2b)の下面(3a2b2)から鉛直方向下向きに延ばすと共に、第2外部導出端子(3b2)の中間部(3b2c)の露出部分(3b2c2)の全体を鉛直面内に配置し、
第3外部導出端子(3b3)の上端水平部(3b3a)と下端水平部(3b3b)との間の中間部(3b3c)に、外囲樹脂ケース(3)を構成する樹脂材料から露出せしめられている露出部分(3b3c2)と、外囲樹脂ケース(3)を構成する樹脂材料によって覆われている非露出部分(3b3c1)とを設け、
第3外部導出端子(3b3)の中間部(3b3c)の露出部分(3b3c2)を、第3ナット収容部(3a4a)の下面(3a4a2)から鉛直方向下向きに延ばすと共に、第3外部導出端子(3b3)の中間部(3b3c)の露出部分(3b3c2)の全体を鉛直面内に配置し、
第1ナット収容部(3a2a)および第2ナット収容部(3a2b)を、外囲樹脂ケース(3)の後側壁部(3a2)と一体的に形成すると共に、左右方向に配列し、
第1外部導出端子(3b1)の下端水平部(3b1b)を第1ナット収容部(3a2a)の左側または右側に配置すると共に、第2外部導出端子(3b2)の下端水平部(3b2b)を第2ナット収容部(3a2b)の左側または右側に配置することにより、第1外部導出端子(3b1)の下端水平部(3b1b)と、第2外部導出端子(3b2)の下端水平部(3b2b)と、第1ナット収容部(3a2a)と、第2ナット収容部(3a2b)とを左右方向に配列したことを特徴とするパワー半導体モジュール(100)。
IPC (2件)：
FI (1件)：
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