特許

J-GLOBAL ID：201403007579454369

炭化珪素単結晶の製造装置

発明者： 近藤 大輔
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  高橋 俊一 ,  伊藤 正和 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-218179
公開番号（公開出願番号）：特開2014-012640
出願日： 2013年10月21日
公開日（公表日）： 2014年01月23日
要約：

【課題】成長した単結晶の径方向端部に凹面が形成されることなく、良好な品質の単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。【解決手段】単結晶製造装置1は、昇華用原料を収容する坩堝本体5と、昇華用原料と対向する位置に種結晶支持部7を設けた蓋体9と、種結晶支持部7の外周近傍から昇華用原料に向けて円錐台状に径が広がった筒状に延びるガイド部材11と、ガイド部材11の外周側に配設され、円盤形状を有すると共に、単結晶27よりも熱伝導率が低く設定された断熱材21とを備え、断熱材21は、ガイド部材11の上下方向の中間部分の高さ位置において、ガイド部材11の外周面から坩堝本体5の内壁面まで延びるように配設されており、昇華用原料3および種結晶を加熱して単結晶27を成長させるときに、昇華用原料3から種結晶に向かう熱Hの流れを断熱材21によって種結晶に集約させるように構成している。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

上下方向に延びる筒状に形成され、昇華用原料を収容する坩堝本体と、 前記昇華用原料と対向する位置に種結晶を固定する種結晶支持部を設けた蓋体と、 前記種結晶支持部の外周近傍から前記昇華用原料に向けて円錐台状に径が広がった筒状に延びるガイド部材と、 前記ガイド部材の外周側に配設され、円盤形状を有すると共に、単結晶よりも熱伝導率が低く設定された断熱材と を備え、 前記断熱材は、前記ガイド部材の前記上下方向の上端と下端を除く中間部分の高さ位置において、前記ガイド部材の外周面から前記坩堝本体の内壁面まで延びるように配設されており、 前記昇華用原料および種結晶を加熱して前記単結晶を成長させるときに、前記昇華用原料から前記種結晶に向かう熱の流れを前記断熱材によって前記種結晶に集約させるように構成したことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077EG16 ,  4G077SA04 ,  4G077SA11