特許
J-GLOBAL ID:201403007814456471

半導体物理量センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 伊藤 正和 ,  林 康旨 ,  細川 覚 ,  松本 隆芳 ,  森 太士
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-169385
公開番号(公開出願番号):特開2014-029274
出願日: 2012年07月31日
公開日(公表日): 2014年02月13日
要約:
【課題】より小型化を図ることのできる半導体物理量センサを得る。【解決手段】半導体物理量センサ10は、一側20aにキャビティ21が形成され、他側20bにレンズ部24が形成された半導体基材20を備えている。また、半導体物理量センサ10は、キャビティ21上に配置される誘電体薄板部61を有し、半導体基材20の一面20a側に固定される誘電体60と、誘電体薄板部61上に配置される受光素子40と、を備えている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
一側にキャビティが形成され、他側にレンズ部が形成された半導体基材と、 前記キャビティ上に配置される誘電体薄板部を有し、前記半導体基材の一面側に固定される誘電体と、 前記誘電体薄板部上に配置される受光素子と、 を備えることを特徴とする半導体物理量センサ。
IPC (3件):
G01J 1/02 ,  G01J 1/04 ,  H01L 37/02
FI (3件):
G01J1/02 Y ,  G01J1/04 B ,  H01L37/02
Fターム (8件):
2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA07 ,  2G065BA09 ,  2G065BA11 ,  2G065BA13 ,  2G065BB06 ,  2G065BB26

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