特許
J-GLOBAL ID:201403007814456471
半導体物理量センサ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
伊藤 正和
, 林 康旨
, 細川 覚
, 松本 隆芳
, 森 太士
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-169385
公開番号(公開出願番号):特開2014-029274
出願日: 2012年07月31日
公開日(公表日): 2014年02月13日
要約:
【課題】より小型化を図ることのできる半導体物理量センサを得る。【解決手段】半導体物理量センサ10は、一側20aにキャビティ21が形成され、他側20bにレンズ部24が形成された半導体基材20を備えている。また、半導体物理量センサ10は、キャビティ21上に配置される誘電体薄板部61を有し、半導体基材20の一面20a側に固定される誘電体60と、誘電体薄板部61上に配置される受光素子40と、を備えている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
一側にキャビティが形成され、他側にレンズ部が形成された半導体基材と、
前記キャビティ上に配置される誘電体薄板部を有し、前記半導体基材の一面側に固定される誘電体と、
前記誘電体薄板部上に配置される受光素子と、
を備えることを特徴とする半導体物理量センサ。
IPC (3件):
G01J 1/02
, G01J 1/04
, H01L 37/02
FI (3件):
G01J1/02 Y
, G01J1/04 B
, H01L37/02
Fターム (8件):
2G065AA04
, 2G065AB02
, 2G065BA07
, 2G065BA09
, 2G065BA11
, 2G065BA13
, 2G065BB06
, 2G065BB26
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