エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：飯田敏三 , 宮前尚祐
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-134918
公開番号（公開出願番号）：特開2013-033942
特許番号：特許第5396514号
出願日： 2012年06月14日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Tiを含む第1層と、Cu、SiO、SiN、SiOC、及びSiONの少なくとも1種を含む第2層とを有する半導体基板に特定のエッチング液を適用し、前記第1層を選択的にエッチングする方法であり、前記特定のエッチング液が有機アミン化合物からなる塩基性化合物と酸化剤とを水性媒体中に含み、そのpHが10.3〜14であることを特徴とするエッチング方法。

IPC (1件)：