特許
J-GLOBAL ID:201403009081801250

半導体装置の不良解析方法、および不良解析装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 筒井 大和 ,  菅田 篤志 ,  筒井 章子 ,  坂次 哲也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-012015
公開番号(公開出願番号):特開2014-143348
出願日: 2013年01月25日
公開日(公表日): 2014年08月07日
要約:
【課題】2つの異なるビームを用いて解析を進める際に、半導体装置の不良解析効率を向上する。【解決手段】真空チャンバCHM内のサンプルステージSSTに載置した解析対象であるサンプルSPLへの電子光学系OPTによる電子ビームBEMの照射、走査から得られる走査電子顕微鏡像とレイアウト像とを対照して、電子光学系側のステージ座標系とレイアウト座標系とを対応させる座標系ロックを行う。そして、電子光学系OPTなどによりサンプルSPLの主面側から、EBAC解析を行う。続いて、フォトン光学系FOTなどによってサンプルSPLの裏面側から、OBIRCH解析を行う。その後、ガスインジェクタGIGによってCVDガスを流量制御しながら導入し、特定した短絡箇所に目印となる解析マークを形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
真空排気される真空チャンバと、 前記真空チャンバ内に設けられ、解析対象となるサンプルを載置して移動させるステージと、 前記真空チャンバ内に設けられ、電子線を集束、走査、照射する電子光学系と、 前記真空チャンバ内に設けられ、電子線照射によって発生する2次電子を検出する検出器と、 前記真空チャンバ内に設けられ、電子線照射によって分解、および固着するガスを供給するガスインジェクタと、 前記真空チャンバ内に設けられ、前記サンプルの表面をプロービングするメカニカルプローバと、 前記真空チャンバを積載する定盤と、 前記定盤から伝わる振動が前記真空チャンバに伝わることを防止する第1の除振台と、 レーザビームを発振して射出するレーザ発振器と、 前記真空チャンバの下方に設けられ、前記レーザ発振器から射出されたレーザビームを集束させて前記サンプルに照射するフォトン光学系と、 前記フォトン光学系を移動させる光学系ステージと、 前記サンプルから反射した反射光を検出し、レーザ顕微鏡像を形成する反射レーザ検出器と、 前記サンプルから発生する光を検出する赤外線カメラとを有し、 前記真空チャンバは、 底面に光を透過させる材質からなる真空窓を有し、前記フォトン光学系から射出されるレーザビームを前記真空窓を介して前記サンプルに照射する、不良解析装置。
IPC (5件):
H01L 21/66 ,  G01R 31/302 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/16 ,  H01J 37/20
FI (6件):
H01L21/66 J ,  G01R31/28 L ,  H01J37/28 B ,  H01J37/16 ,  H01J37/20 F ,  H01L21/66 C
Fターム (21件):
2G132AA00 ,  2G132AF13 ,  2G132AL12 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA02 ,  4M106BA05 ,  4M106CA16 ,  4M106CA50 ,  4M106DA05 ,  4M106DB12 ,  4M106DB21 ,  4M106DB30 ,  4M106DJ01 ,  4M106DJ23 ,  5C001AA08 ,  5C001BB07 ,  5C001CC04 ,  5C001DD03 ,  5C033UU03 ,  5C033UU10

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