特許

J-GLOBAL ID：201403009123919435

不揮発性記憶装置の製造方法

発明者： 高橋 一郎 ,  三河 巧
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012001620
公開番号（公開出願番号）：WO2012-120893
出願日： 2012年03月09日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：

不揮発性記憶装置(10)の製造方法であって、酸素不足型の遷移金属酸化物で構成されたタンタル酸化物材料層(106aF)を形成する工程と、遷移金属酸化物で構成され、タンタル酸化物材料層(106aF)よりも酸素不足度が低いタンタル酸化物材料層(106bF)を形成する工程と、タンタル酸化物材料層(106bF)を形成する工程の後に、タンタル酸化物材料層(106bF)を、希ガスにより生成したプラズマに曝すプラズマ処理工程とを含む。

請求項（抜粋）：

酸素不足型の遷移金属酸化物で構成された第1の酸化物材料層を形成する工程と、 遷移金属酸化物で構成され、前記第1の酸化物材料層よりも酸素不足度が低い第2の酸化物材料層を形成する工程と、 前記第2の酸化物材料層を形成する工程の後に、前記第2の酸化物材料層を、希ガスにより生成したプラズマに曝すプラズマ処理工程とを含む 不揮発性記憶装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  C23C 14/08

FI (4件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  C23C14/08 N

Fターム (24件)：

4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC35 ,  4K029GA02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA15 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40