特許

J-GLOBAL ID：201403009211788510

マスクブランク及びその製造方法並びに転写用マスク

発明者： 酒井 和也 ,  橋本 雅広 ,  山田 剛之
出願人/特許権者： HOYA株式会社
代理人 (1件)： 大塚 武史
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011072327
公開番号（公開出願番号）：WO2012-043695
出願日： 2011年09月29日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：

本発明は、転写パターンを形成するための薄膜のレジストに対する密着性を向上させ、形成されたレジストパターンの倒れや欠けなどの発生を抑制できるマスクブランクを提供する。 本発明のマスクブランクは、透光性基板1上に、転写パターンを形成するための金属を含む材料からなる薄膜2を有し、前記薄膜2は、炭化水素を含む酸化膜からなる表面改質層を有する。この薄膜2の表面改質層は、例えば高濃度オゾンガスと不飽和炭化水素ガスとを前記薄膜に作用させることにより形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に、転写パターンを形成するための金属を含む材料からなる薄膜を有するマスクブランクであって、 前記薄膜は、炭化水素を含む酸化膜からなる表面改質層を有することを特徴とするマスクブランク。

IPC (2件)：

G03F 1/26 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F1/26 ,  H01L21/30 502P

Fターム (5件)：

2H095BB03 ,  2H095BB27 ,  2H095BB35 ,  2H095BC05 ,  2H095BC11