特許
J-GLOBAL ID：201403009562677235
圧電性酸化物単結晶ウエハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人貴和特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-182788
公開番号（公開出願番号）：特開2014-040339
出願日： 2012年08月21日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：
【課題】スライス後における圧電性酸化物単結晶ウエハの反りを低減し、両面ラッピング工程におけるウエハの割れを防止して、圧電性酸化物ウエハの歩留まりを向上させる手段を提供する。【解決手段】圧電性酸化物単結晶を、ワイヤソーによりスライスして単結晶ウエハとし、少なくとも両面ラッピングと片面鏡面研磨を行う、圧電性酸化物単結晶ウエハの製造方法において、前記スライス後、前記両面ラッピングを施す前に、単結晶ウエハに、フッ化水素酸と硝酸からなる混酸を用いたエッチングを施す。LT単結晶ウエハの場合、常温で4時間以上のエッチングを行い、LN単結晶ウエハの場合、常温で25分以上のエッチングを行う。これにより、エッチング後の単結晶ウエハの反り量を、スライス後の反り量の25%〜45%程度まで低減することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
圧電性酸化物単結晶を、ワイヤソーによりスライスして単結晶ウエハとし、該単結晶ウエハに、少なくとも両面ラッピングと片面鏡面研磨を行う圧電性酸化物単結晶ウエハの製造方法において、前記スライス後、前記両面ラッピングを施す前に、前記単結晶ウエハに、フッ化水素酸と硝酸からなる混酸を用いたエッチングを施すことにより、エッチング後の単結晶ウエハの反り量を、スライス後の反り量の25%〜45%まで低減することができることを特徴とする、圧電性酸化物単結晶ウエハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (3件)：
4G077AA02
, 4G077BC37
, 4G077FG06
