特許
J-GLOBAL ID:201403009665557602
光半導体デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-007642
公開番号(公開出願番号):特開2014-136119
出願日: 2013年01月18日
公開日(公表日): 2014年07月28日
要約:
【課題】蛍光の検出効率および検出精度を向上させた光半導体デバイスを提供する。【解決手段】本発明に係る光半導体デバイス(1)は、励起光を発生させるLED構造体(3a)と、励起光の照射により皮膚から生じる蛍光を吸収するPD構造体(4a)とがサファイア基板(2)に形成されている。蛍光を入射させるPD構造体(4a)の入射面側に該蛍光を選択的に透過させる光学フィルタ(47)が配置されている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
生体の測定部位に照射される励起光を発生させる活性層を含む、半導体の積層構造を有するLED構造体と、
前記励起光の照射により前記測定部位から生じる蛍光を吸収する蛍光吸収層を含む、半導体の積層構造を有するPD構造体とが基板の一方の面上に形成されており、
前記蛍光を入射させる前記PD構造体の入射面側に、該蛍光の波長範囲の光を選択的に透過させる光学フィルタが配置されていることを特徴とする光半導体デバイス。
IPC (5件):
A61B 5/00
, A61B 5/107
, G01N 21/64
, H01L 33/02
, H01L 31/10
FI (5件):
A61B5/00 M
, A61B5/10 300Q
, G01N21/64 Z
, H01L33/00 100
, H01L31/10 A
Fターム (29件):
2G043BA16
, 2G043EA01
, 2G043LA01
, 2H048GA01
, 2H048GA13
, 2H048GA33
, 2H148GA01
, 2H148GA13
, 2H148GA33
, 4C038VA04
, 4C038VB22
, 4C038VC20
, 4C117XA05
, 4C117XB13
, 4C117XD05
, 4C117XE36
, 5F049MA02
, 5F049MB07
, 5F049NB07
, 5F049RA07
, 5F049WA05
, 5F141AA31
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA12
, 5F141CA40
, 5F141CA93
, 5F141CB32
, 5F141FF16
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