半導体装置、ショットキーバリアダイオード、電界効果トランジスタ、MIS型電界効果トランジスタ、およびMOS型電界効果トランジスタ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：酒井宏明 , 田代至男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-237331
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086706
出願日： 2012年10月26日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：

【課題】電子走行層における2次元電子ガスを高いキャリア密度と高い移動度に維持するとともに、装置の耐圧を向上すること。【解決手段】所定の基体上に形成されたアンドープGaN層からなる電子走行層11の上層または上方に、少なくとも2種類の異なるAl組成xのAlxGa1-xN層12-1〜12-n(0<x≦1、n:自然数)を4層以上積層した超格子構造の電子供給層12を設ける。各AlxGa1-xN層12-1〜12-nは、電子供給層12の内部に2次元電子ガスが生じない膜厚に形成する。電子供給層12の上層にAlzGa1-zN層からなるフィールドプレート層14を積層しても良く、この場合、電子供給層12の最上層のAlyGa1-yN層12aをエッチングストップ層とする。電子供給層12の最下層をAlN層としても良い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体と、前記基体上に形成されたIII族窒化物半導体層とを備え、前記III族窒化物半導体層は、電子走行層と、該電子走行層上に形成された互いに組成の異なる少なくとも2種類のAlxGa1-xN層(0<x≦1)を複数層積層されて構成された電子供給層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L29/48 D , H01L29/48 F , H01L29/78 301B

Fターム (34件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB05 , 4M104CC03 , 4M104FF10 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104HH20 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102GV05 , 5F102HC15 , 5F140AA01 , 5F140AA25 , 5F140BA09 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BF43

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