特許

J-GLOBAL ID：201403010135125130

強誘電体メモリ及びその製造方法

発明者： 田中 正幸 ,  和田 純一 ,  小澤 良夫 ,  山川 晃司 ,  犬宮 誠治 ,  坂田 敦子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (13件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-198823
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053568
出願日： 2012年09月10日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：

【課題】メモリ特性の向上を図る。【解決手段】実施形態による強誘電体メモリは、半導体基板11上に形成されたゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜上に形成された強誘電体膜13と、強誘電体膜上に形成された制御電極17と、を具備し、強誘電体膜は、ハフニウム又はジルコニウムである金属と酸素とを含有する膜であり、金属以外の元素を金属より低い濃度で含有し、金属以外の元素の濃度は、強誘電体膜の膜厚方向で不均一である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成された強誘電体膜と、 前記強誘電体膜上に形成された制御電極と、 を具備し、 前記強誘電体膜は、ハフニウム又はジルコニウムである金属と酸素とを含有する膜であり、前記金属以外の元素を前記金属より低い濃度で含有し、 前記金属以外の前記元素の濃度は、前記強誘電体膜の膜厚方向で不均一であり、 前記金属以外の前記元素は、シリコン、マグネシウム、アルミニウム又はイットリウムであり、 前記シリコン、前記マグネシウム、前記アルミニウム又は前記イットリウムは、前記強誘電体膜の中央部の濃度よりも、前記強誘電体膜と前記ゲート絶縁膜との界面及び前記強誘電体膜と前記制御電極との界面における濃度が高く、 前記強誘電体膜と前記ゲート絶縁膜との前記界面において、前記金属以外の前記元素の原子数/(前記金属以外の前記元素の前記原子数+前記金属の原子数)は、0.02以上0.05以下である、強誘電体メモリ。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L27/10 444A ,  H01L29/78 371

Fターム (29件)：

4G073BA22 ,  4G073BA63 ,  4G073BA75 ,  4G073BB03 ,  4G073BB04 ,  4G073BB42 ,  4G073BB57 ,  4G073BD18 ,  4G073CD00 ,  4G073CD04 ,  4G073FB41 ,  4G073UB50 ,  4G073UB60 ,  5F083FR06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083NA01 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F101BA62 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BD02 ,  5F101BD35 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16