特許

J-GLOBAL ID：201403010707433567

酸化物焼結体及びその製造方法、並びに酸化物膜

発明者： 曽我部 健太郎 ,  安東 勲雄 ,  小沢 誠
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (4件)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司 ,  藤井 稔也 ,  祐成 篤哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-115733
公開番号（公開出願番号）：特開2014-234323
出願日： 2013年05月31日
公開日（公表日）： 2014年12月15日
要約：

【課題】In-Si-O系酸化物焼結体において、従来の技術では不可能であった安定放電を可能とする酸化物焼結体を提供する。【解決手段】酸化インジウムを主成分として、Si及びYが含有されてなり、Siの含有量がSi/In原子数比で0.65以上1.75以下であり、Yの含有量がY/In原子数比で0.001以上0.15以下である酸化物焼結体。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

酸化インジウムを主成分として、Si及びYが含有されてなり、Siの含有量がSi/In原子数比で0.65以上1.75以下であり、Yの含有量がY/In原子数比で0.001以上0.15以下であることを特徴とする酸化物焼結体。

IPC (2件)：

C04B 35/00 ,  C23C 14/34

FI (2件)：

C04B35/00 J ,  C23C14/34 A

Fターム (27件)：

4G030AA12 ,  4G030AA16 ,  4G030AA34 ,  4G030AA37 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA11 ,  4G030GA14 ,  4G030GA16 ,  4G030GA17 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BC07 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39