特許
J-GLOBAL ID：201403010807259700

分子メモリ

発明者：
林 哲也

林 哲也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-130060
公開番号（公開出願番号）：特開2013-254868
出願日： 2012年06月07日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
要約：
【課題】メモリセル部のリーク電流が小さい分子メモリを提供する。【解決手段】実施形態に係る分子メモリは、内部に空隙が形成された絶縁膜と、第1導電性材料からなり、前記絶縁膜中に設けられ、その一部分が前記空隙の下面において露出した第1導電性部材と、前記第1導電性材料とは異なる第2導電性材料からなり、前記絶縁膜中に設けられ、その一部分が前記空隙の上面において露出した第2導電性部材と、前記空隙内に配置され、前記第1導電性部材又は前記第2導電性部材に結合された抵抗変化型分子鎖と、を備える。前記空隙の側面は、前記第2導電性部材の側面の延長面よりも外側に配置されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
内部に空隙が形成された絶縁膜と、 タングステンからなり、前記絶縁膜中に設けられ、第1方向に延び、その側面の上部及び上面が前記空隙の下面において露出した第1配線と、 モリブデンからなり、前記絶縁膜中に設けられた第2配線と、 前記空隙内に配置され、前記第1配線に結合された抵抗変化型分子鎖と、 を備え、 前記第2配線は、 前記第1方向に対して交差した前記第2方向に延びる本体部と、 前記第1配線の直上域に配置され、前記本体部から前記第1配線に向けて突出し、その側面の下部及び下面が前記空隙の上面において露出した凸部と、 を有し、 前記空隙の側面は、前記第1配線の側面の延長面及び前記第2配線の側面の延長面よりも外側に配置されている分子メモリ。
IPC (5件)：
H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (5件)：
H01L27/10 449 ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/28 100B
Fターム (19件)：
5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (3件)

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