特許

J-GLOBAL ID：201403012249913298

有機半導体トランジスタおよびその製造方法

発明者： 角野 雅芳
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (2件)： 机 昌彦 ,  下坂 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-194094
公開番号（公開出願番号）：特開2014-049722
出願日： 2012年09月04日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
要約：

【課題】本発明は、印刷法によって膜のほぼ全領域が単一の単結晶からなる有機半導体膜をチャネル層に用いた有機半導体トランジスタの移動度を向上させると同時に、移動度のばらつきを低減することを課題とする。【解決手段】チャネル層である有機半導体膜の移動度が最大になる結晶方位がチャネル方向と略平行であることを特徴とする有機半導体トランジスタである。例えば、有機半導体膜がCn-BTBT(nはゼロあるいは自然数)の場合、チャネル方向がCn-BTBTの結晶のa軸に略平行である有機半導体トランジスタである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

チャネル層である有機半導体膜の移動度が最大になる結晶方位に対応して、チャネル方向を設定する、有機半導体トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/368

FI (6件)：

H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310J ,  H01L21/368 L

Fターム (34件)：

5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD19 ,  5F053GG01 ,  5F053HH02 ,  5F053LL10 ,  5F053RR20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG23 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HM04 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27