特許

J-GLOBAL ID：201403012642280710

結晶成長用るつぼおよび結晶の製造方法

発明者： 並川 靖生 ,  谷崎 圭祐 ,  坂本 敏宏 ,  森下 昌紀
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-082913
公開番号（公開出願番号）：特開2014-205587
出願日： 2013年04月11日
公開日（公表日）： 2014年10月30日
要約：

【課題】るつぼおよび成長結晶における損傷の発生を抑制しつつ、成長結晶を容易に取り出すことが可能な結晶成長用るつぼ、および当該結晶成長用るつぼが用いられる結晶の製造方法を提供する。【解決手段】結晶成長用るつぼ10は、種結晶を保持するための種結晶保持部11と、種結晶保持部11上に接続され、内面12a側に結晶成長を行うための空間12bを有する結晶成長部12とを備えている。結晶成長部12は、結晶格子10aが積層された結晶構造を有している。内面12aには、上記結晶構造の断面部が露出した溝部20が形成されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

種結晶を保持するための種結晶保持部と、 前記種結晶保持部上に接続され、内面側に結晶成長を行うための空間を有する結晶成長部とを備え、 前記結晶成長部は、結晶格子が積層された結晶構造を有し、 前記内面には、前記結晶構造の断面部が露出した溝部が形成されている、結晶成長用るつぼ。

IPC (1件)：

C30B 11/00

FI (1件)：

C30B11/00 C

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BE44 ,  4G077BE46 ,  4G077CD02 ,  4G077EG01 ,  4G077MA01