特許

J-GLOBAL ID：201403012785977541

磁気メモリ、スピン素子およびスピンMOSトランジスタ

発明者： 井 口 智 明 ,  石 川 瑞 恵 ,  杉 山 英 行 ,  棚 本 哲 史 ,  高 島 章 ,  斉 藤 好 昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-078005
公開番号（公開出願番号）：特開2014-203931
出願日： 2013年04月03日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：

【課題】電圧書き込みが可能な磁気メモリ、スピン素子およびスピンMOSトランジスタを提供する。【解決手段】本実施形態の磁気メモリは、半導体層と第1強磁性層とを含む積層構造と、前記半導体層に電気的に接続される第1配線と、前記第1強磁性層に電気的に接続される第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との間に電気的に接続され、書き込み時に前記半導体層と前記第1強磁性層との間に電圧を印加する電圧印加部と、を備え、前記第1強磁性層の磁化方向は、前記電圧の印加により変化可能である。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

半導体層と第1強磁性層とを含む積層構造と、 前記半導体層に電気的に接続される第1配線と、 前記第1強磁性層に電気的に接続される第2配線と、 前記第1配線と前記第2配線との間に電気的に接続され、書き込み時に前記半導体層と前記第1強磁性層との間に電圧を印加する電圧印加部と、 を備え、前記第1強磁性層の磁化方向は、前記電圧の印加により変化可能である磁気メモリ。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11C 11/15

FI (6件)：

H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 140 ,  G11C11/15 150

Fターム (39件)：

4M119BB01 ,  4M119CC09 ,  4M119DD02 ,  4M119DD17 ,  4M119DD42 ,  4M119DD52 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119KK15 ,  5F092AB07 ,  5F092AC12 ,  5F092AC24 ,  5F092AD23 ,  5F092AD24 ,  5F092AD26 ,  5F092BB11 ,  5F092BB12 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB45 ,  5F092BC47 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD05 ,  5F092BD06 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092BD20 ,  5F092BE13