特許

J-GLOBAL ID：201403013105530102

発光装置

発明者： 山崎 舜平 ,  宮入 里築子 ,  中村 康男
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-241129
公開番号（公開出願番号）：特開2014-032977
出願日： 2013年11月21日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
要約：

【課題】発光装置の高精細化が進んでも、対向電極の電位降下に起因する輝度の勾配が視認されてしまうのを防ぐことが出来、なおかつ工程数を増やさずに補助電極を形成する。【解決手段】基板上に第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜上に第1の電極及び補助電極をそれぞれ形成し、前記第1の電極の端部及び前記補助電極の端部を覆うように第2の絶縁膜を形成し、前記第2の絶縁膜において、前記第1の電極を露出させる第1の開口部、及び前記補助電極を露出させる第2の開口部を形成し、前記第1の開口部において前記第1の電極と電気的に接続される電界発光層を形成し、前記電界発光層と重なり、かつ前記第2の開口部において前記補助電極と電気的に接続される第2の電極を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に形成された第1の電極及び補助電極と、 前記第1の電極の端部を覆うように形成された第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜に形成された第1の開口部において前記第1の電極と接し、かつ前記第2の絶縁膜に形成された第2の開口部において前記補助電極の上部と接する電界発光層と、 前記第1の開口部において前記電界発光層と接し、かつ前記第2の開口部において前記補助電極の側面と接する第2の電極とを有することを特徴とする発光装置。

IPC (5件)：

H05B 33/26 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/12

FI (5件)：

H05B33/26 Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/12 B

Fターム (9件)：

3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC33 ,  3K107CC35 ,  3K107CC45 ,  3K107DD37 ,  3K107DD89 ,  3K107DD90

引用特許：

審査官引用 (1件)

• EL表示装置及び電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-176521   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所