特許
J-GLOBAL ID:201403014385649009

瞳位相解析によるオーバレイ計測

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-526045
公開番号(公開出願番号):特表2014-527633
出願日: 2012年07月30日
公開日(公表日): 2014年10月16日
要約:
本発明は、半導体ウェハの第1のオーバレイターゲットから反射される照明の一部分の瞳面にわたる第1の位相分布を測定することであって、第1のオーバレイターゲットは、第1の意図的オーバレイを有するように作製される、第1の位相分布を測定することと、第2のオーバレイターゲットから反射される照明の一部分の瞳面にわたる第2の位相分布を測定することであって、第2のオーバレイターゲットは、第1の意図的オーバレイと逆方向でかつ第1の意図的オーバレイと同じ大きさを有する第2の意図的オーバレイを有するように作製される、第2の位相分布を測定することと、第1の位相分布と第2の位相分布の和に関連する第1の位相傾斜を決定することと、第1の位相分布と第2の位相分布との差に関連する第2の位相傾斜を決定することと、位相傾斜データのセットを較正することと、第1のオーバレイターゲットおよび第2のオーバレイターゲットに関連する試験オーバレイ値を決定することを含むことができる。
請求項(抜粋):
瞳位相情報を利用してオーバレイを測定するための方法であって、 半導体ウェハの第1のオーバレイターゲットから反射される照明の一部分の瞳面にわたる第1の位相分布を測定することであって、前記第1のオーバレイターゲットは、第1の意図的オーバレイを有するように作製される、第1の位相分布を測定すること、 前記半導体ウェハの第2のオーバレイターゲットから反射される照明の一部分の前記瞳面にわたる第2の位相分布を測定することであって、前記第2のオーバレイターゲットは、第2の意図的オーバレイを有するように作製され、前記第2の意図的オーバレイは、前記第1の意図的オーバレイと逆方向に沿っており、前記第1の意図的オーバレイおよび前記第2の意図的オーバレイは、実質的に同じ大きさを有する、第2の位相分布を測定すること、 前記第1の位相分布と前記第2の位相分布の和に関連する第1の位相傾斜を決定すること、 前記第1の位相分布と前記第2の位相分布との差に関連する第2の位相傾斜を決定すること、 前記決定された第2の位相傾斜ならびに前記第1の意図的オーバレイの大きさおよび前記第2の意図的オーバレイの大きさを利用して位相傾斜データのセットを較正すること、 前記第1の位相傾斜を、前記較正された位相傾斜データのセットと比較することによって、前記第1のオーバレイターゲットおよび前記第2のオーバレイターゲットに関連する試験オーバレイ値を決定することを含む方法。
IPC (2件):
G01B 11/00 ,  H01L 21/66
FI (2件):
G01B11/00 G ,  H01L21/66 J
Fターム (23件):
2F065AA03 ,  2F065AA07 ,  2F065FF52 ,  2F065GG02 ,  2F065GG04 ,  2F065GG24 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL00 ,  2F065LL19 ,  2F065LL21 ,  2F065LL31 ,  2F065LL41 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA22 ,  4M106CA39 ,  4M106DB07 ,  4M106DB13 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20

前のページに戻る