特許

J-GLOBAL ID：201403014508711260

多孔質材料から電極を製造する方法、その方法により得られる電極及び対応する電気化学系

発明者： ザギブ,カリム ,  ガーフィ,アブデルバースト ,  シャレスト,パトリック ,  コステキ,ロバート ,  キノシタ,キミオ ,  アルマン,ミシェル
出願人/特許権者： イドロ-ケベック
代理人 (5件)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  富田 博行 ,  星野 修 ,  森下 梓
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-093067
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199241
特許番号：特許第5514248号
出願日： 2012年04月16日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 多孔質材料から電気化学系のためのアノードを製造する方法であって、アノードは、少なくとも部分的に炭素で被覆された多孔質ケイ素を基材とし、多孔質ケイ素でできている絶縁性支持体上に被覆されたポリマー層を熱分解する工程を含み、絶縁性支持体がSi3N4である、上記方法。

IPC (9件)：

H01M 4/1395 ( 201 0.01) ,  H01M 4/134 ( 201 0.01) ,  H01M 10/052 ( 201 0.01) ,  H01M 4/58 ( 201 0.01) ,  H01M 4/505 ( 201 0.01) ,  H01M 4/525 ( 201 0.01) ,  H01M 4/38 ( 200 6.01) ,  C01B 33/02 ( 200 6.01) ,  C01B 31/02 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01M 4/139 ,  H01M 4/134 ,  H01M 10/052 ,  H01M 4/58 ,  H01M 4/505 ,  H01M 4/525 ,  H01M 4/38 Z ,  C01B 33/02 Z ,  C01B 31/02 101 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特許第3989389号
  
• 多孔性シリコン膜およびデバイスを作成するための浸漬走査方法およびシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-046582   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション