デュアルゲート有機薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-117654
公開番号（公開出願番号）：特開2014-236138
出願日： 2013年06月04日
公開日（公表日）： 2014年12月15日
要約：

【課題】例えば光メモリ機能を有する/有しない等、光活性が異なるとともに、ゲートに印加する電圧によりどちらを使用するかを切り替えることができる2つの有機トランジスタを積層したデュアルゲート有機薄膜トランジスタを与える。【解決手段】光活性の異なる2つの有機半導体層を積層し、有機半導体層にそれぞれゲート電極を設ける。これらのゲート電極に与える信号により、上記切り替えを行うことができる。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

ソース電極とドレイン電極との間に有機半導体薄膜が設けられるとともに、前記有機半導体薄膜中を流れるキャリアを制御する有機半導体薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体薄膜は第1の有機半導体層及び前記第1の有機半導体層と光活性度の異なる第2の有機半導体層が積層されて構成され、前記有機半導体薄膜の第1の面及び第2の面上にそれぞれ第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜を介して第1のゲート電極及び第2のゲート電極を設けたデュアルゲート有機薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 21/336 , H01L 51/30 , H01L 51/40

FI (10件)：

H01L29/78 622 , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/78 617N , H01L29/78 618E , H01L29/78 618A , H01L29/78 613B , H01L29/28 100B , H01L29/28 220A , H01L29/28 310J

Fターム (13件)：

5F110AA30 , 5F110BB05 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE08 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-244032 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-399801 出願人：シャープ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-239850 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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